Samsung kompaniyasi HBM4 xotirasini sinovdan o‘tkazishni boshladi
Samsung 2025-yil oxiridayoq ommaviy ishlab chiqarishni boshlash maqsadida yangi HBM4 xotirasini sinovdan o‘tkazishni boshladi. Bu dastlab rejalashtirilganidan olti oy oldin boshlandi.
Yangi avlod xotirasi HBM3E ning oldingi versiyasiga nisbatan ma’lumotlarni uzatish tezligini 66 foizga oshirishi va saqlash hajmi ham ortishi kutilmoqda.
Kompaniya HBM4 uchun mantiqiy chiplarni loyihalashni yakunladi va 4nm jarayonda sinov ishlab chiqarishni boshladi. Bu ish D1c ixtisoslashtirilgan ob’yektida amalga oshirilmoqda.
Yangi xotira 2 TB/s gacha ma’lumotlarni uzatish tezligini ta’minlashi va 6,4 GT/s o‘tkazish qobiliyatiga ega 2048 bitli interfeysni qo‘llab-quvvatlashi kutilmoqda. Bundan tashqari, HBM4 48 Gb gacha sig‘imga ega bo‘ladi, bu joriy yechimlardan 33 foizga ko‘pdir.
Yangi avlod xotirasi Nvidianing 2026 yilda chiqarilishi kutilayotgan "Rubin" GPU platformasida qo‘llaniladi.
Izoh qoldirish uchun saytda ro'yxatdan o'ting
Kirish
Ijtimoiy tarmoqlar orqali kiring
FacebookTwitter