Китай планирует построить мегафабрику по производству микросхем по двухнанометровому техническому процессу с помощью ускорителя заряженных частиц. Это позволит КНР обойти санкции США, ограничивающие доступ к передовым литографическим машинам. В настоящее время выбирают место для строительства ускорителя в районе города Сюнъань в провинции Хэбэй.

Фабрика будет возведена по принципиально отличной от иностранных аналогов схеме: в качестве источника излучения будет использоваться ускоритель заряженных частиц. Технология основывается на методе так называемого устойчивого микрогруппирования (steady-state microbunching, SSMB). Он предусматривает использование энергии заряженных частиц в качестве источника излучения с узким рассеянием. Длина волны такого излучения составляет от 13,5 нм до 0,3 мм. Длина контура — 100-150 м.

Завод сможет производить большие объемы чипов с низкой себестоимостью. Одним из применений проекта, разрабатываемого с 2017 года, может стать фотолитография в глубоком ультрафиолете (EUV) — эта технология используется во всем мире для создания передовых чипов. Единственным производителем таких литографических машин пока является нидерландская компания ASML, а доступ Китая к этой технологии ограничен все из-за тех же санкций.